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依托國家集成電路人才培養(yǎng)基地，西安電子科技大學2003年獲批建設寬禁帶半導體材料教育部重點實驗室。目前主要研究方向包括：寬禁帶半導體材料生長機理與方法、寬禁帶半導體器件制備與應用、新型半導體器件與集成電路技術系統(tǒng)應用研究。經(jīng)過十幾年的建設與發(fā)展，重點實驗室已成為西安電子科技大學國家集成電路人才培養(yǎng)基地、國家示范性微電子學院、“電子科學與技術”一級學科、“微電子學與固體電子學”和“集成電路設計與集成系統(tǒng)”國家重點學科的重要支撐。

重點實驗室從上世紀90年代開始從事寬禁帶半導體方面科學研究和人才培養(yǎng)，目前已成為國內(nèi)外開展寬禁帶半導體材料和器件科學研究、人才培養(yǎng)、學術交流、校企合作、成果轉(zhuǎn)化等工作的重要基地，2020年獲國家自然科學基金創(chuàng)新研究群體。

實驗室建有一千五百多平方米的寬禁帶半導體超凈工藝研發(fā)線，最高潔凈度達百級，設備原值近2億元，可滿足化合物半導體器件制備流片工藝的技術要求。擁有材料生長設備研制、材料生長工藝、器件研制工藝、器件可靠性測試以及VLSI電路系統(tǒng)應用設計等若干項自主關鍵技術，在寬禁帶半導體科研體系方面具有明顯特色。

重點實驗室相關研究成果獲得國家技術發(fā)明獎3項、國家科技進步獎4項、國家教學成果獎2項、省部級一等獎10余項，郝躍院士獲2019年度陜西省最高科學技術獎。實驗室重視研究成果轉(zhuǎn)化與應用，“氮化鎵紫外光電技術”、“高效模數(shù)轉(zhuǎn)換器及前端集成系統(tǒng)”、“氮化鎵微波功率器件”、“低功耗集成電路系統(tǒng)芯片技術”等多項研究成果已經(jīng)應用于國家和國民經(jīng)濟重點工程，實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化技術轉(zhuǎn)移，推進5G通信基站、紫外工業(yè)光電應用等相關產(chǎn)業(yè)發(fā)展。